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Bumping ＆ WLP封装

通过晶圆级封装的Bumping (凸块) 和 RDL (重布线)技术，在晶圆的表面实I/O的重新Layout 及Solder / Copper pillar bump 的引出实现倒装芯片的凸块加工，进一步实现先进细间距(Fine-pitch) Flipchip封装；以及通过向芯片内或外的扇入(Fan-in) 技术实现WLP(Wafer level PKG，晶圆级封装)技术，在封装体内部采用正装芯片(Die bond/Wire bond) 焊线或先进的正装芯片+倒装芯片的混合封装(Hybrid BGA）技术实现芯片和基板的互联，以及在封装体基板的背面制作阵列焊锡球作为芯片的I/O端与印刷线路板（PCB）互接。<br>

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BGA 封装

球栅阵列封装(Ball Grid Array,简称BGA)：在封装体内部采用正装芯片(Die bond/Wire bond) 焊线或先进的正装芯片+倒装芯片的混合封装(Hybrid BGA）技术实现芯片和基板的互联，以及在封装体基板的背面制作阵列焊锡球作为芯片的I/O端与印刷线路板（PCB）互接。

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DFN/QFN引线框架封装

QFN/DFN封装(方形扁平无引脚封装)基于铜框架(Copper Lead Frame) 的QFN/DFN封装，封装体中央区域采用大面积裸露焊盘用来导热，大焊盘四周的封装外围有实现电气连结的导电焊盘。

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Flipchip倒装芯片

FCCSP/FCBGA (Flipchip CSP/BGA)封装：先进高密度倒装芯片级封装，采用Cu pillar 或Solder bump 通过将芯片翻转与基板连接，采用散热盖(Heat sink)等高散热解决方案，从而提供更好的电性能，更好的散热性，及好的焊点可靠性。

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